Поиск аналогов электронных компонентов
TSB582IQ2T
STMicroelectronicsШвейцария

TSB582IQ2T

ПроизводитсяInstrumentation, OP Amps, Buffer Amps8-DFN

HIGH OUTPUT CURRENT WITH THERMAL

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение питания2 ~ 36 V
Произведение усиления на полосу3.1 MHzТип.
Напряжение смещения нуля2.4 mVТип.
Ток покоя2.5 mAТип.
Число каналов2
Питание
Current - Input Bias2 nA
Current - Output / Channel200 mA
Current - Supply2.5mA (x2 Channels)
Voltage - Supply Span (Max)36 V
Voltage - Supply Span (Min)2 V
Характеристики по постоянному и переменному току
Gain Bandwidth Product3.1 MHz
Slew Rate2V/µs
Voltage - Input Offset2.4 mV
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~125°C
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package8-DFN (3x3)
Другое
Amplifier TypeCMOS
MfrSTMicroelectronics
Number of Circuits2
Output TypeRail-to-Rail
Product StatusActive
Series-

Изображения

Документы