Поиск аналогов электронных компонентов
STW4N150
STMicroelectronicsШвейцария

STW4N150

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247-3

MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.5 kV
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии7 ΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)160W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
Другое
Base Product NumberSTW4N150
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 2A, 10V
SeriesPowerMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы