Поиск аналогов электронных компонентов
STW3N170
STMicroelectronicsШвейцария

STW3N170

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247-3

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.7 kV
Постоянный ток стока2.6 A
Сопротивление в открытом состоянии13 ΩМакс. · 1.3A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)160mW
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
Другое
Base Product NumberSTW3N170
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs13Ohm @ 1.3A, 10V
SeriesPowerMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы