HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备3.1A的电流承载能力和300V的工作电压。采用单向保护机制,确保信号传输的稳定性与安全性。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
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Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IPP | 3.1A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Uni单向 |
| VRWM | 300V |
本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备3.1A的电流承载能力和300V的工作电压。采用单向保护机制,确保信号传输的稳定性与安全性。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IPP | 3.1A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Uni单向 |
| VRWM | 300V |