BORN(伯恩半导体)Китай
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Полный отчётТехнические параметры
| Ipp @10/1000us （A） | 204 |
| IR (µA) | 10 |
| IT （mA） | 5 |
| PartNumber （Bi） | SM8S20CA |
| PPP @10/1000us (W) | 6600 |
| VBR @IT Max.(V) | 24.5 |
| VBR @IT Min.(V) | 22.2 |
| VC@Ipp （V） | 32.4 |
| VRWM (V) | 20 |
| Ipp @10/1000us （A） | 204 |
| IR (µA) | 10 |
| IT （mA） | 5 |
| PartNumber （Bi） | SM8S20CA |
| PPP @10/1000us (W) | 6600 |
| VBR @IT Max.(V) | 24.5 |
| VBR @IT Min.(V) | 22.2 |
| VC@Ipp （V） | 32.4 |
| VRWM (V) | 20 |