HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该肖特基二极管具有2A的平均正向整流电流（IF）和60V的最大反向耐压（VR），适用于中等电压应用环境。其正向导通压降低至0.7V，有助于减少功率损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的峰值浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过载能力。该器件广泛应用于电源整流、DC-DC转换、极性保护及续流电路等场景。【联系：sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения700 mVМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SOD-123FL |
| Другое | |
| IF | 2A |
| IFSM | 50A |
| IR | 100uA |
| VF | 0.7V |
| VR | 60V |