Поиск аналогов электронных компонентов
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока3.16 A
Сопротивление в открытом состоянии47 mΩМакс. · 3.5A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)750mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Другое
Base Product NumberSI2306
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds305 pF @ 15 V
MfrVishay Siliconix
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 3.5A, 10V
SeriesTrenchFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Изображения

Документы