VBsemi(微碧半导体)Китай
SI2306BDS-T1-E3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；SOT-23；N—Channel沟道,30V；5A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；这是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率功率控制和开关应用。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии62 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |