HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
S5MB
Single Diodes这款通用二极管设计精良，具备稳定的电气性能，最大正向电流(IF)为5A，可承受的峰值反向电压(VR)高达1000V，使其成为高压应用的理想选择。该二极管的正向电压降(VF)为1.1V，有助于减少电力损耗，提高系统效率。其微小的反向漏电流(IR)不超过5μA，在无信号通过时几乎不消耗电能。此外，瞬时正向浪涌电流(IFSM)可达120A，意味着它能够在短时间内处理极大的电流波动。适用于各类整流、保护电路以及需要高可靠性的电子装置中。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток5 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 5A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 5A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@5A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |