Поиск аналогов электронных компонентов
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток12 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 12 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)12A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 12 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C~150°C
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AB, SMC
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Base Product NumberS12J
Capacitance @ Vr, F78pF @ 4V, 1MHz
Diode TypeStandard
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Изображения

Документы