Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток12 V
Постоянный ток стока2.5 A
Сопротивление в открытом состоянии61 mΩМакс. · 2.5A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SC-96 |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Другое | |
| Base Product Number | RZR025 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 6 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.