Поиск аналогов электронных компонентов
RTQ035N03HZGTR
Rohm SemiconductorЯпония

RTQ035N03HZGTR

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-6 Thin

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока3.5 A
Сопротивление в открытом состоянии54 mΩМакс. · 3.5A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Другое
Base Product NumberRTQ035
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285 pF @ 10 V
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 3.5A, 4.5V
SeriesAutomotive, AEC-Q101
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Изображения

Документы