HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款快恢复高效率二极管具备卓越的电气特性,其最大整流电流IF可达5A,在反向电压VR高达1000V的情况下仍能保持稳定工作。正向电压降VF仅为1.3V,有助于减少能量损耗,提高系统效率。在待机状态下,其反向漏电流IR低至5微安,表明具有良好的阻断性能。瞬态条件下,此二极管能够承受最高达150A的瞬时正向电流IFSM,确保了在复杂环境下的可靠运行。适用于高频开关电源以及其他对效率与响应速度有较高要求的应用场合。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.3 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IF | 5A |
| IFSM | 150A |
| IR | 5uA |
| VF | 1.3V |
| VR | 1000V |