Поиск аналогов электронных компонентов
RM2A8N60S4
Rectron USAТайвань, Китай

RM2A8N60S4

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-223-3

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока2.8 A
Сопротивление в открытом состоянии100 mΩМакс. · 2.5A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223-3
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715 pF @ 15 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.5A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.