Поиск аналогов электронных компонентов
Rectron USAТайвань, Китай

RM100N60T2

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220-3

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии6.5 mΩМакс. · 40A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)170W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 30 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 40A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.