N-CHANNEL POWER MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток150 V
Постоянный ток стока1 A
Сопротивление в открытом состоянии1.9 ΩМакс. · 1A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Power Dissipation (Max) | 8.33W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mfr | Harris Corporation |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 1A, 5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |