VBsemi(微碧半导体)Китай
RDD022N50TL-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.