VBsemi(微碧半导体)Китай
RDD020N50-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,500V；14.5A；RDS(ON)=243mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток500 V
Постоянный ток стока14.5 A
Сопротивление в открытом состоянии243 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 243mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |