VBsemi(微碧半导体)Китай
R6011ENX-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии170 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |