Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 6. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии535 mΩМакс. · 2.8A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Другое | |
| Base Product Number | R6009 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535mOhm @ 2.8A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |