Sharp MicroelectronicsЯпония

PT100MF0MP1

Phototransistors

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
暗电流	100nA
集射极击穿电压(Vceo)	35V
集电极电流(Ic)	20mA
Другое
耗散功率(Pd)	75mW

Документы

DatasheetDatasheet · 803.8 KB · 2026-09-21 DatasheetDatasheet · 192.0 KB · 2026-09-21

Центр документации