HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备6.3A的电流承载能力和40.2V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种应用场景,为您的电子设备提供坚实的安全保障。
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Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Другое | |
| IPP | 6.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 40.2V |
本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备6.3A的电流承载能力和40.2V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种应用场景,为您的电子设备提供坚实的安全保障。
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Другое | |
| IPP | 6.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 40.2V |