MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток55 V
Постоянный ток стока110 A
Сопротивление в открытом состоянии2.4 mΩМакс. · 55A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25700 pF @ 25 V |
| Mfr | Renesas Electronics America Inc |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 55A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |