NXP USA Inc.Нидерланды
MW6S010N
RF FETs, MOSFETsThe MW6S010NR1 and MW6S010GNR1 are designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.