Поиск аналогов электронных компонентов
MUR160HB0G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

MUR160HB0G

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.25 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
PackageBulk
Package / CaseDO-204AC, DO-15, Axial
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageDO-204AC (DO-15)
Другое
Base Product NumberMUR160
Capacitance @ Vr, F27pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.