Поиск аналогов электронных компонентов
MUR115S
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

MUR115S

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение150 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 150 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AA, SMB
Supplier Device PackageDO-214AA (SMB)
Другое
Base Product NumberMUR115
Capacitance @ Vr, F-
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы