Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
MUR115S R5G
Single DiodesDIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 12. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение150 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 150 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 1 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Другое | |
| Base Product Number | MUR115 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.