Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 66, из них китайских: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 1 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Другое | |
| Base Product Number | MUR110 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.