Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

MUR110G

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 100 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
PackageBulk
Package / CaseDO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device PackageAxial
Другое
Base Product NumberMUR110
Capacitance @ Vr, F-
Mfronsemi
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
SeriesSWITCHMODE™
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.