HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达600V。其正向压降VF为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR仅为10μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合，能够在频繁开关操作中保持稳定性能。