HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装,特别适合现代精密电路设计。器件具有高达350V的卓越集电极发射极击穿电压(VCEO)及0.2A连续集电极电流(IC),放大倍数在50至200之间,确保了强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境,是您电子产品设计的理想三极管解决方案。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер350 V
Ток коллектора200 mAМакс.
Мощность350 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |