Поиск аналогов электронных компонентов
CBI(创基)Китай

MMBT5541DW

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流0.6A
VCBO-集基级击穿电压160V
VCEO-集射级击穿电压150V
VEBO-射基级击穿电压5V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益60
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT363
Другое
Pd-功率耗散0.3W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.2V
引脚数量16

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.