TDD(台冠电子)Китай

三极管配置 独立式；晶体管类型PNP；1个PNP；直流电流增益(hFE)100~300；集电极截止电流(Icbo)100nA ；集射极饱和电压(VCE(sat))400mV；集射极击穿电压(Vceo)40V；射基极击穿电压(VEBO)5V；特征频率(fT)250MHz； 集电极电流(IC)200mA；耗散功率(pd)150mW；工作结温范围-55℃~+150℃