Поиск аналогов электронных компонентов

MJ10016

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-3

TRANS NPN DARL 500V 50A TO3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер500 V
Ток коллектора50 AМакс.
Коэффициент усиления hFE2520A
Мощность250 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)250µA
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Power - Max250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 20A, 5V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBag
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Supplier Device PackageTO-3
Другое
MfrNTE Electronics, Inc
Product StatusActive
SeriesSWITCHMODE™
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 10A, 50A

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.