Поиск аналогов электронных компонентов
MJ10012

MJ10012

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsTO-3

TRANS NPN DARL 400V 10A TO3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер400 V
Ток коллектора10 AМакс.
Коэффициент усиления hFE3003A
Мощность175 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Power - Max175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 3A, 6V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
PackageBag
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Supplier Device PackageTO-3
Другое
MfrNTE Electronics, Inc
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 2A, 10A

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.