HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款肖特基二极管拥有20安培的额定电流(IF),最高可承受150伏特的反向电压(VR),在20安培正向电流下的正向压降(VF)仅为1.1伏特,展现了高效的导电性能。在150伏特反向电压下,漏电流(IR)控制在100微安,确保了器件在高电压环境下的可靠性。该二极管适用于各种需要高效能整流和快速开关特性的电路设计中,如电源适配器、逆变器电路以及通用电子设备中的保护电路等。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.1 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-220F |
| Другое | |
| IF | 20A |
| IFSM | 175A |
| IR | 100uA |
| VF | 1.1V |
| VR | 150V |