VBsemi(微碧半导体)Китай
IRLL110TRPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Пороговое напряжение1.5 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |