Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток55 V
Постоянный ток стока53 A
Сопротивление в открытом состоянии20 mΩМакс. · 29A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Bag |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 29A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 1.5 MB · 2026-11-09DatasheetDatasheet · 1.5 MB · 2026-09-21Application NoteApplication Note · 2.0 MB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 1.1 MB · 2026-09-22Quality & ReliabilityQuality & Reliability · 115.4 KB · 2026-09-22Quality & ReliabilityQuality & Reliability · 28.5 KB · 2026-09-22OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21
Центр документации