HEXFET POWER MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение2.32 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~155°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 15 V |
| Mfr | International Rectifier |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.