Поиск аналогов электронных компонентов
IRF7832
Infineon TechnologiesГермания

IRF7832

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

IRF7832 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 30 V, RDS (on) max: 4 mOhm, Package: SO-8, Technology: IR MOSFET™, ID max: 20 A

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Пороговое напряжение1.86 VМакс.
Условия эксплуатации и корпус
Moisture Sensitivity Level1
MountingSMD
Operating Temperature range-55 °C to 155 °C
PackageSO-8
Другое
ID (@25°C) max20 A
PolarityN
Ptot (@ TA=25°C) max2.5 W
Qgd12 nC
QG (typ @4.5V)34 nC
RDS (on) (@10V) max4 mΩ
RDS (on) (@4.5V) max4.8 mΩ
RthJA max50 K/W
Special FeaturesLogic Level
Tj max155 °C
VDS max30 V
VGS max20 V
VGS(th)1.86 V
VGS(th) range1.39 V to 2.32 V

Изображения

Документы