Поиск аналогов электронных компонентов
IRF7341PBF
Infineon TechnologiesГермания

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Power - Max2W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO
Другое
Base Product NumberIRF734
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 25V
MfrInfineon Technologies
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
SeriesHEXFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы