IRF3710L

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-262

MOSFET N-CH 100V 57A TO262

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток100 V

Постоянный ток стока57 A

Сопротивление в открытом состоянии23 mΩМакс. · 28A

Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C~175°C(TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device Package	TO-262
Другое
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3130 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 28A, 10V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA