Поиск аналогов электронных компонентов
IMH1AT110
Rohm SemiconductorЯпония

IMH1AT110

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 4. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition250MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseSC-74, SOT-457
Supplier Device PackageSMT6
Другое
Base Product NumberIMH1AT110
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)22kOhms
Series-
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.