Поиск аналогов электронных компонентов

HYG850PD02KA1C6

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流3.5A
Id-额定电流3.5A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压1V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗95mΩ
Ron-最大导通阻抗95mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN
Другое
Ciss-输入电容582pF
Ciss-输入等效电容582pF
Pd-功率耗散2W
Pd-最大功率耗散2W
Qg-栅极电荷7.2nC
Vdss-漏源耐压20V
Vgs-栅源耐压10V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量16
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.