Поиск аналогов электронных компонентов

HYG065N03LR1C1

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 22, из них китайских: 9. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流40A
VDSS-最大漏源电压30V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗6.6mΩ
Другое
Ciss-输入等效电容743pF
Pd-功率耗散21.5W
Qg-栅极电荷18.1nC
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.