Поиск аналогов электронных компонентов

HYG046N04LQ1C2

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 18, из них китайских: 6. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流75A
VDSS-最大漏源电压40V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗5.3mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PPAK5*6
Другое
Ciss-输入等效电容2849pF
Pd-功率耗散57.7W
Qg-栅极电荷79nC
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.