Поиск аналогов электронных компонентов

HYG045N03LA1C1

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流50A
Id-额定电流50A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压3V
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN3030
Другое
Ciss-输入电容2106pF
Ciss-输入等效电容2106pF
Pd-功率耗散23W
Pd-最大功率耗散23W
Qg-栅极电荷46.2nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.