Поиск аналогов электронных компонентов

HYG035N02KA1C2

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流95A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压1V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗3.5mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PDFN8L
Другое
Ciss-输入等效电容4.82pF
Pd-功率耗散57.6W
Qg-栅极电荷47.5nC
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.