Поиск аналогов электронных компонентов

HYG013N03LS1C2

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 27, из них китайских: 9. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流150A
Id-额定电流150A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗1.6mΩ
Ron-最大导通阻抗1.6mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PDFN8L
Другое
Ciss-输入电容3011pF
Ciss-输入等效电容3011pF
Pd-功率耗散65W
Pd-最大功率耗散65W
Qg-栅极电荷44.7nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.