N-CHANNEL POWER MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток50 V
Постоянный ток стока44 A
Сопротивление в открытом состоянии22 mΩМакс. · 44A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mfr | Fairchild Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 44A, 10V |
| Series | UltraFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.